DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | - |
dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.contributor.author | Поплевка, Е. А. | - |
dc.contributor.author | Окоджи, Д. Э. | - |
dc.contributor.author | Жукович, Ю. А. | - |
dc.date.accessioned | 2019-01-30T13:20:24Z | - |
dc.date.available | 2019-01-30T13:20:24Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления / Д. А. Голосов [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. – 2018. – Том. 34, № 1. – С. 33 – 37. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34330 | - |
dc.description.abstract | Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiOx/SiO2/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBT от режимов последующего отжига. При температуреотжига 800° C получены пленки с остаточной поляризацией 2Pr = 3,02 мкКл/см2, коэрцитивной силой 2Ec = 140 кВ/см.Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте 1,0 МГц составляли соответственно ε = 125 и tgδ = 0,067. Температура Кюри пленок достигала 310–315° С. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Гомельский государственный университет | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | энергонезависимая память FeRAM | ru_RU |
dc.subject | сегнетоэлектрики | ru_RU |
dc.subject | танталат стронция-висмута | ru_RU |
dc.subject | SBT | ru_RU |
dc.subject | ВЧ магнетронное распыление | ru_RU |
dc.title | Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|