Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35808
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНазаров, И. В.-
dc.date.accessioned2019-07-24T11:39:03Z-
dc.date.available2019-07-24T11:39:03Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationНазаров, И. В. Исследование скрытых дефектов диэлектрических слоев контролем величины заряда пробоя : автореф. дисс. ... магистра техники и технологий : 1- 39 81 01 / И. В. Назаров; науч. рук. Г. Г. Чигирь. - Минск : БГУИР, 2019. – 16 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35808-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectтехнологии интегральных микросхемru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемыru_RU
dc.titleИсследование скрытых дефектов диэлектрических слоев контролем величины заряда пробояru_RU
dc.typeАвторефератru_RU
Appears in Collections:1-39 81 01 Компьютерные технологии проектирования электронных систем

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nazarov_Issledovanie.pdf2.89 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.