| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Рощенко, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-21T09:34:34Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-21T09:34:34Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Рощенко, П. С. Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов = Optimization of design parameters and modes of technological operations for formation of instrument structures of silicon microstrip detectors / П. С. Рощенко, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Медэлектроника – 2020. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сборник научных статей XII Международной научно-технической конференции, Минск, 10 декабря 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2020. – С. 145–151. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41922 | - |
| dc.description.abstract | Рассматривается применение кремниевых микростриповых детекторов (КМД) в качестве прямых преобразователей ионизирующего излучения при проектировании нового оборудования ядерной медицины [14], используемого в однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (ОФЭКТ) и позитронноэмиссионной томографии (ПЭТ). Новые конструкции позволяют создавать более компактные и нечувствительные к магнитным полям системы в сочетании со сканерами магнитного резонанса в оборудовании ОФЭКТ и ПЭТ. В статье представлены результаты компьютерного моделирования электрических характеристик приборной структуры КМД с учетом воздействия тяжелой заряженной частицы. Посредством отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые конструктивные параметры и режимы технологических операций формирования приборной структуры КМД, а также определены их значения, обеспечивающие уменьшение временного разрешения более чем на 10%. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | кремниевый микростриповый детектор | ru_RU |
| dc.subject | стриповый контакт | ru_RU |
| dc.subject | моделирование устройства | ru_RU |
| dc.subject | silicon microstrip detector | ru_RU |
| dc.subject | strip contact | ru_RU |
| dc.subject | device simulation | ru_RU |
| dc.title | Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Optimization of design parameters and modes of technological operations for formation of instrument structures of silicon microstrip detectors | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The use of silicon microstrip detectors (SMD) as direct converters of ionizing radiation in the design of new nuclear medicine equipment [1-4] used in single-photon emission computed tomography (SPECT) and positron emission tomography (PET) is considered. New designs will allow for more compact and insensitive to magnetic fields systems in combination with magnetic resonance scanners in SPECT and PET equipment. The article presents the results of computer modeling of the electrical characteristics of the device structure of the SMD taking into account the effect of a heavy charged particle (HCP). By means of a screening experiment, the most significant design parameters and modes of technological operations for the formation of the device structure of the SMD were identified, and their values were determined, which ensure a decrease in the time resolution by more than 10%. | - |
| Appears in Collections: | Медэлектроника - 2020
|
