Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов

Abstract

Рассматривается применение кремниевых микростриповых детекторов (КМД) в качестве прямых преобразователей ионизирующего излучения при проектировании нового оборудования ядерной медицины [14], используемого в однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (ОФЭКТ) и позитронноэмиссионной томографии (ПЭТ). Новые конструкции позволяют создавать более компактные и нечувствительные к магнитным полям системы в сочетании со сканерами магнитного резонанса в оборудовании ОФЭКТ и ПЭТ. В статье представлены результаты компьютерного моделирования электрических характеристик приборной структуры КМД с учетом воздействия тяжелой заряженной частицы. Посредством отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые конструктивные параметры и режимы технологических операций формирования приборной структуры КМД, а также определены их значения, обеспечивающие уменьшение временного разрешения более чем на 10%.