https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42400| Title: | Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния |
| Authors: | Данилюк, М. А. Мигас, Д. Б. Данилюк, А. Л. |
| Keywords: | материалы конференций;защита информации;информационная безопасность;запоминающие устройства;наношнуры |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Данилюк, М. А. Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния / Данилюк М. А., Мигас Д. Б., Данилюк А. Л. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов IХ Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 28–29 июня 2011 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2011. – С. 64–65. |
| Abstract: | Актуальной задачей для систем защиты информации является разработка запоминающих устройств, сочетающих энергонезависимое хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокую скорость чтения/записи, неограниченное число циклов стирания/записи данных, высокую масштабируемость и плотность ячеек для создания микросхем памяти различного объема. Одним из перспективных направлений является разработка резистивной энергонезависимой памяти с произвольной выборкой (RRAM) на основе диоксида гафния. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42400 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2011 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Danilyuk_Mekhanizm.pdf | 160.1 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.