DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сулейманов, С. Х. | - |
dc.contributor.author | Гременок, В. Ф. | - |
dc.contributor.author | Хорошко, В. В. | - |
dc.contributor.author | Иванов, В. А. | - |
dc.contributor.author | Дыскин, В. Г. | - |
dc.contributor.author | Джанклич, М. У. | - |
dc.contributor.author | Кулагина, Н. А. | - |
dc.date.accessioned | 2021-02-03T07:26:26Z | - |
dc.date.available | 2021-02-03T07:26:26Z | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.citation | Оптические характеристики антиотражающих покрытий на основе Al2O3-SiО2 для кремниевых солнечных элементов / С. Х. Сулейманов [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2020. – № 87 (4). – С. 667–671. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42818 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования, получения и исследования интегрального коэффициента отражения (RS) однослойных композиционных антиотражающих покрытий Al2O3SiO2 для кремниевых солнечных элементов с интегральным коэффициентом отражения RS £10 %. Показано, что при концентрациях Al2O3 = 52-84 мас.% и SiO2 = 16-48 мас.% и толщине 53-97 нм минимальные значения для Al2O3 RS = 73-77 %, для SiO2 RS = 27-23 % и толщине 69-75 нм. Экспериментально показано, что для слоев Al2O3:SiO2 = 75:25 % толщиной 72 нм RS = 3.53 %, что примерно в два раза ниже, чем RS для покрытия Si3N4. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | композиционное антиотражающее покрытие | ru_RU |
dc.subject | кремниевый солнечный элемент | ru_RU |
dc.title | Оптические характеристики антиотражающих покрытий на основе Al2O3–SiО2 для кремниевых солнечных элементов | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|