Способ изготовления тонкопленочного резистора

Abstract

Способ изготовления тонкопленочного резистора, в котором на подложку последовательно наносят резистивную пленку тантала толщиной 22 нм, слой алюминия и защитную пленку тантала заданной толщины hзп, формируют маски из указанной защитной пленки по рисунку контактных площадок резистора посредством фотолитографии и травления, затем проводят сквозное пористое электрохимическое анодирование слоя алюминия в 0,4 М водном растворе щавелевой кислоты при температуре 296 К и напряжении формовки 53 B, далее проводят реанодирование резистивной пленки тантала через поры образовавшегося анодного оксида алюминия при анодном напряжении, изменяющемся с заданной постоянной скоростью от нуля до величины E, определяемой в соответствии с математическим выражением: ( ) ) 75 , 54 / f 04 ,0( ) f 06 ,2(e 24, 28 e36 ,35 73,105 k Eρ− ρ− − − = , где k - размерный коэффициент, равный 1 B; ρ - удельное поверхностное сопротивление готового резистора, выбираемое при его проектировании из интервала от 150 до 11420 Ом/□ с учетом задаваемой толщины защитной пленки тантала, связанной с напряжением Е соотношением Ed 64 ,0 hзп > ; f - размерный коэффициент, равный 0,6 □/Ом; d - размерный поправочный коэффициент, равный 1 нм/В, наносят сверху дополнительную пленку тантала, формируют из нее посредством фотолитографии и травления маску по рисунку резистивной области резистора между контактными площадками, а затем термически доокисляют через поры анодного оксида алюминия участки резистивной пленки тантала, не закрытые масками, образованными из защитной и дополнительной пленок, и вскрывают контактные окна готового резистора в масках из термически окисленной защитной пленки тантала.