https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568
Title: | Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора |
Other Titles: | The influence of protons in the electrical characteristics of arsenide-gallium field effect transistor |
Authors: | Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. Lovshenko, I. Y. Stempitsky, V. R. |
Keywords: | материалы конференций;полевые транзисторы;ионизирующее излучение;электрические характеристики;field-effect transistors;ionizing radiation;electrical characteristics |
Issue Date: | 2021 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Ловшенко, И. Ю. Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р. // Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС = Instrumentation and control systems for NPP and TPP : материалы II Международной научно-технической конференции, Минск, 27-28 апреля 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2021. – С. 257–262. |
Abstract: | Представлены результаты моделирования воздействия потока протонов на электрические характеристики приборной структуры полевых транзисторов на основе GaAs. Определены зависимости максимального тока стока IС и напряжения отсечки от величины флюенса и энергии протонов, а также температуры окружающей среды. |
Alternative abstract: | The results of simulation the influence of the proton flux on the electrical characteristics of the device structure of field-effect transistors based on GaAs are presented. The dependences of the maximum drain current IC and cut-off voltage on the fluence value and proton energy, as well as on the ambient temperature are shown. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568 |
Appears in Collections: | Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС (2021) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Lovshenko_Uchet.pdf | 486.39 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.