https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46000
Title: | Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия |
Other Titles: | Structural and phase characteristics of vanadium oxide films |
Authors: | Нгуен, Т. Д. Занько, А. И. Голосов, Д. А. Завадский, С. М. Мельников, С. Н. Колос, В. В. То, Т. К. |
Keywords: | публикации ученых;оксид ванадия;тонкие пленки;реактивное магнетронное распыление;кристаллизационный отжиг;vanadium oxide;thin films;reactive magnetron sputtering;crystallization annealing |
Issue Date: | 2021 |
Publisher: | Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого |
Citation: | Нгуен, Т. Д. Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия / Т. Д. Нгуен [и др.] // Вестник ГГТУ им. П. О. Сухого. – 2021. – № 1. – С. 33–41. |
Abstract: | Проведены исследования влияния параметров процесса нанесения и последующего отжига на структуру и фазовый состав пленок оксида ванадия (VOx ). Пленки VOx наносились методом импульсного реактивного магнетронного распыления V мишени в Ar/O2 смеси газов и подвергались отжигу в атмосфере O2 при давлении 10 5 Па. Температура отжига изменялась от 100 до 450 °С. Время отжига варьировалось от 10 до 120 мин. Установлено, что при отжиге начальные процессы кристаллизации наблюдаются при температурах 250–275 °С. При этом, в зависимости от концентрации кислорода в процессе распыления, формируются поликристаллические пленки кубической или смешанной моноклинной/кубической кристаллической решеткой. При увеличении температуры отжига происходит переход от промежуточного оксида V 4 O 9 к смешанной фазе VO 2 /VO x /V 2 O 5 и далее к высшему оксиду V 2 O 5 . При увеличении времени отжига формирование высшего оксида V 2 O 5 наблюдается при более низких температурах и его концентрация увеличивается. |
Alternative abstract: | The article The influence of the parameters of the deposition and subsequent annealing on the structure and phase composition of vanadium oxide (VO x ) films has been studied. VO x films were deposited by pulsed reactive magnetron sputtering of a V target in an Ar/O 2 gas mixture and annealed in an O 2 atmosphere at a pressure of 105 Pa. The temperature of the annealing varied from 100 to 450 °C. The time of the annealing varied from 10 to 120 min. It was found that during annealing, the initial crystallization processes are observed at temperatures of 250–275 °C. In this case, depending on the oxygen concentration during sputtering, polycrystalline films of a cubic or mixed monoclinic (cubic) crystal lattice are formed. As the temperature of the annealing rises, a transition occurs from the intermediate oxide V 4 O 9 to the mixed phase VO 2 /VO x /V 2 O 5 and then to the higher oxide V 2 O 5. With an increase in the annealing time, the formation of the higher oxide V 2 O 5 is observed at lower temperatures and its concentration increases. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46000 |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Nguyen_Strukturno_Fazovyye.pdf | 1.2 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.