Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47230
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕмельянов, В. В.-
dc.date.accessioned2022-06-02T08:46:53Z-
dc.date.available2022-06-02T08:46:53Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationЕмельянов, В. В. Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением / В. В. Емельянов // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 396–399. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47230-
dc.description.abstractПутем экспериментальных исследований получен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию, позволяющий достичь наилучшего профиля и скорости травления нитрида кремния при формировании слоя разделения. Исследована зависимость скорости травления от внешних характеристик разряда (мощности, давления и состава рабочих газов).Through experimental studies, a process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon was obtained, which makes it possible to achieve the best profile and rate of etching of silicon nitride during the formation of a separation layer. The dependence of the etching rate on the external characteristics of the discharge (power, pressure, and composition of the working gases) has been studied.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectреактивно-ионное травлениеru_RU
dc.subjectмикроэлектроникаru_RU
dc.subjectнитрид кремнияru_RU
dc.subjectполикристаллический кремнийru_RU
dc.subjectинтегральные схемыru_RU
dc.subjectreactive-ion etchru_RU
dc.subjectmicroelectronicsru_RU
dc.subjectsilicon nitrideru_RU
dc.subjectpolycrystalline siliconru_RU
dc.subjectintegrated circuitru_RU
dc.titleФормирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлениемru_RU
dc.title.alternativeFormation of the functional layer of the integrated microcircuit by reactive-ion etchingru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Emelyyanov_Formirovaniye.pdf281.75 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.