DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Емельянов, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-02T08:46:53Z | - |
dc.date.available | 2022-06-02T08:46:53Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Емельянов, В. В. Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением / В. В. Емельянов // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 396–399. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47230 | - |
dc.description.abstract | Путем экспериментальных исследований получен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию, позволяющий достичь наилучшего профиля и скорости травления нитрида кремния при формировании слоя разделения. Исследована зависимость скорости травления от внешних характеристик разряда (мощности, давления и состава рабочих газов).Through experimental studies, a process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon was obtained, which makes it possible to achieve the best profile and rate of etching of silicon nitride during the formation of a separation layer. The dependence of the etching rate on the external characteristics of the discharge (power, pressure, and composition of the working gases) has been studied. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | реактивно-ионное травление | ru_RU |
dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
dc.subject | нитрид кремния | ru_RU |
dc.subject | поликристаллический кремний | ru_RU |
dc.subject | интегральные схемы | ru_RU |
dc.subject | reactive-ion etch | ru_RU |
dc.subject | microelectronics | ru_RU |
dc.subject | silicon nitride | ru_RU |
dc.subject | polycrystalline silicon | ru_RU |
dc.subject | integrated circuit | ru_RU |
dc.title | Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением | ru_RU |
dc.title.alternative | Formation of the functional layer of the integrated microcircuit by reactive-ion etching | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|