https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49643| Title: | Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 |
| Authors: | Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. |
| Keywords: | публикации ученых;зонные структуры;диэлектрические функции;нитридные полупроводники |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Белорусская наука |
| Citation: | Кривошеева, А. В. Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников // Известия НАН Беларуси. Серия физико-математических наук. – 2022. – Т. 58, № 4. – С. 424–430. – DOI : https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430. |
| Abstract: | Методом компьютерного моделирования в рамках приближений LDA, GGA и PBE определены электронные зонные структуры нитридных соединений MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2 и ZnGeN2, и рассчитаны их оптические свойства. Установлено, что соединения с германием являются прямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны 3,0 (MgGeN2) и 1,7 эВ (ZnGeN2), тогда как соединения с кремнием оказываются непрямозонными с величиной энергетического зазора 4,6 (MgSiN2) и 3,7 эВ (ZnSiN2). Анализ оптических свойств показал перспективы использования MgGeN2 и ZnGeN2 в оптоэлектронике. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49643 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Krivosheeva_Struktura.pdf | 1.27 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.