| Title: | Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве |
| Other Titles: | Thin film elemets design and formation methods for silicon schottky diodes with improved reproducibility of properties in a batch production |
| Authors: | Соловьев, Я. А. |
| Keywords: | диод Шоттки;вольтамперная характеристика;высота барьера;тонкие пленки;магнетронное распыление;молибден;механические напряжения;силициды;Schottky diode;voltage-current characteristic;barrier height;thin films;magnetron sputtering;molybdenum;mechanical stress;silicides |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Соловьев, Я. А. Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Я. А. Соловьев; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с. |
| Abstract: | Экспериментально установлены зависимости кристаллической структуры, механических и электрофизических свойств тонких пленок молибдена и его сплавов, нанесенных магнетронным распылением, от параметров технологического процесса Определены интервалы оптимальных значений давления аргона, температуры подложки, и скорости нанесения, при которых достигается наилучшее сочетание структурных, механических и электрофизических свойств. Разработана конструкция кремниевого диода Шоттки, с двухслойным пассивирующим покрытием Si02/Ta205 с толщиной слоя пентаоксида тантала 0,07 - 0,4 мкм, обеспечивающим наилучшую защиту твердотельной структуры диода Шоттки от деградации электрических параметров после высокотемпературного микромонтажа. |
| Alternative abstract: | The design of silicon Schottky diode, with two-layer passivation coverage Si02/Ta205 with thickness of a layer tantalum pentaoxide 0,07 - 0,4 microns, providing the best protection of solid-state structure of Schottky diode against electric parameters degradation after high-temperature microinstallation is developed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
