| Title: | Схемотехнические и конструктивно-технологические методы повышения быстродействия ТТЛШ и биполярно - комплементарных МОП-вентилей, используемых в логических сериях ИМС и интерфейсных БИС |
| Other Titles: | Schematics and design - technological methods of increase in speed STTL and BiCMOS logic gates, using in logic IC families and interface LSI |
| Authors: | Ефименко, С. А. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;быстродействие;время задержки;ТТЛШ;БиКМОП;классификация;масштабирование;граничная частота;длина канала;крутизна;плотность тока;нагрузочная способность;изоляция элементов;время пролета;speed;delay time;STTL;BiCMOS;classification;scaling;boundary frequency;channel length;steepness;density of the current;load ability;isolation of elements;charge-transfer time |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ефименко, С. А. Схемотехнические и конструктивно-технологические методы повышения быстродействия ТТЛШ и биполярно - комплементарных МОП-вентилей, используемых в логических сериях ИМС и интерфейсных БИС: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / С. А. Ефименко; науч. рук. А.И. Белоус. - Мн.: БГУИР, 2002. - 22 с. |
| Abstract: | Работа посвящена исследованию ТТЛШ и БиКМОП - логических вентилей с повышенной емкостной нагрузочной способностью, которые являются основой серий логических сериях ИМС и интерфейсных БИС. Целью работы является разработка и исследование схемотехнических, конструктивных и технологических решений, позволяющих повысить быстродействие ТТЛШ и БиКМОП - серий логических ИМС. |
| Alternative abstract: | Object of the research are Schottky TTL and BiCMOS logic gates with high capacitance ability. They are elements of logic IC families and interface LSI. The purpose of this work is the development and research of circuit, design and technology decisions, which allow to increase the speed of Shottky TTL and BiCMOS logic IC families. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5187 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
