https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53082| Title: | Структура GaN транзисторов |
| Authors: | Бондарев, А. А. |
| Keywords: | материалы конференций;транзисторы;GaN;генеративно-состязательные сети;машинное обучение;MOSFET;МОП-транзисторы |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Бондарев, А. А. Структура GaN транзисторов/ А. А. Бондарев // Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минский радиотехнический колледж ; редкол.: В. В. Шаталова [и др.]. – Минск : БГУИР, 2023. – С. 287–289. |
| Abstract: | Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного решения высокоэффективных транзисторов GaN структуры и его сравнение с технологией. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53082 |
| Appears in Collections: | Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции (2023) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Bondarev_Struktura.pdf | 249.86 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.