Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53287
Title: Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения
Authors: Тернов, Р. Е.
Keywords: авторефераты диссертаций;технические науки;полупроводниковые приборы;транзисторы
Issue Date: 2023
Publisher: БГУИР
Citation: Тернов, Р. Е. Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / Р. Е. Тернов ; науч. рук. В. Р. Стемпицкий. – Минск : БГУИР, 2023. – 10 с.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53287
Appears in Collections:1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ternov_Fiziko_topologicheskaya.pdf254.61 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.