Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54251
Title: Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
Authors: Доан, Тхе Хоанг
Keywords: авторефераты диссертаций;тонкие пленки;сложные оксиды;составные мишени
Issue Date: 2023
Publisher: БГУИР
Citation: Доан, Тхе Хоанг. Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Тхе Хоанг Доан ; науч. рук. Д. А. Голосов. – Минск : БГУИР, 2023. – 21 с.
Abstract: Целью исследования является разработка методов контролируемого формирования тонких пленок сложных оксидов реактивным магнетронным распылением составных мишеней, методов контроля и управления их составом, электрофизическими свойствами, которые определяют возможность использования данного класса пленок в качестве диэлектрических слоев современных МОП интегральных схем.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54251
Appears in Collections:05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Avtoreferat-Doan-The-Hoang.pdf1.04 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.