Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56241
Title: Электрохимическое осаждение буферного слоя на основе оксисульфидов цинка-олова для фотоэлектрических преобразователей
Authors: Уткина, Е. А.
Воробьева, А. И.
Меледина, М. В.
Ходин, А. А.
Keywords: материалы конференций;полупроводниковые материалы;фотоэлектрические преобразователи
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Электрохимическое осаждение буферного слоя на основе оксисульфидов цинка-олова для фотоэлектрических преобразователей / Е. А. Уткина [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХXII Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 12 июня 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2024. – С. 91–92.
Abstract: Для создания современных фотоэлектрических преобразователей исследуются полупроводниковые материалы на основе оксисульфидов цинка-олова для использования в качестве бескадмиевого буферного слоя.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56241
Appears in Collections:ТСЗИ 2024

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Utkina_EHlektromekhanicheskoe.pdf121.66 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.