Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКолосницын, Б. С.-
dc.contributor.authorМанкевич, И. А.-
dc.date.accessioned2014-08-04T09:27:19Z
dc.date.accessioned2017-07-19T09:38:53Z-
dc.date.available2014-08-04T09:27:19Z
dc.date.available2017-07-19T09:38:53Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationКолосницын, Б. С. Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 87-88ru_RU
dc.identifier.isbn978-985-543-038-5-
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570-
dc.description.abstractВ работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых приборов. Применение ESD устройств позволяет моделировать физические процесыы термоактивационного пробоя биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором, появляется возможность задавать максимальные величины напряжений испытания без эффектов образования токовых шнуров.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.subjectтоковые шнурыru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectиспытание ESD устройствru_RU
dc.titleФизическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборахru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
физическое.pdf383.36 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.