https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570
Title: | Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах |
Authors: | Колосницын, Б. С. Манкевич, И. А. |
Keywords: | полупроводниковые приборы;токовые шнуры;материалы конференций;испытание ESD устройств |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Колосницын, Б. С. Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 87-88 |
Abstract: | В работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых приборов. Применение ESD устройств позволяет моделировать физические процесыы термоактивационного пробоя биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором, появляется возможность задавать максимальные величины напряжений испытания без эффектов образования токовых шнуров. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570 |
ISBN: | 978-985-543-038-5 |
Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника» |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
физическое.pdf | 383.36 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.