Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570
Title: Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах
Authors: Колосницын, Б. С.
Манкевич, И. А.
Keywords: полупроводниковые приборы;токовые шнуры;материалы конференций;испытание ESD устройств
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Колосницын, Б. С. Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 87-88
Abstract: В работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых приборов. Применение ESD устройств позволяет моделировать физические процесыы термоактивационного пробоя биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором, появляется возможность задавать максимальные величины напряжений испытания без эффектов образования токовых шнуров.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570
ISBN: 978-985-543-038-5
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
физическое.pdf383.36 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.