Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58801
Title: Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом
Other Titles: Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation
Authors: Курапцова, А. А
Данилюк, А. Л.
Keywords: материалы конференций;компьютерное моделирование;ультрафиолетовое излучение;гетероструктура;Comsol Multiphysics;углеродные нанотрубки
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Курапцова, А. А. Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом = Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation / А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 75–78.
Abstract: В работе путем компьютерного моделирования с помощью программного пакета Comsol Multiphysics исследуются зарядовые свойства гетероструктуры пленка одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) на кремнии в условиях падающего на гетероструктуру излучения длиной волны 300 нм. В результате моделирования были обнаружены зависимости поверхностной плотности электрического заряда σ и потенциала Vs от энергии Et ловушечных состояний на поверхности пленки, монотонное уменьшение данных значений с ростом Et, а также отличие в значениях данных величин в условиях наличия падающего излучения и его отсутствия. Наибольшая разница в значениях σ при наличии излучения и его отсутствии была обнаружена при Et=0 эВ и составила 10-6 мкКл/см-2. Различие в значениях Vs слабо отличалось для каждого значение энергии Et и составляло примерно 47 мВ.
Alternative abstract: In this work, the charge properties of a heterostructure of a single-wall carbon nanotubes (SWCNT) film on silicon under irradiation of 300 nm wavelength are investigated by using computer modeling with the Comsol Multiphysics software package. As a result of modeling, the dependences of the surface electric charge density σ and the potential Vs on the energy Et of trap states on the film surface, a monotonic decrease in these values with increasing Et, as well as a difference in these values under conditions of the presence of incident irradiation and its absence were found. The greatest difference in the σ values in the presence and absence of irradiation was found at Et=0 eV and was 10-6 μC/cm-2. The difference in the Vs values was slightly different for each value of the energy Et and was approximately 47 mV.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58801
Appears in Collections:Компьютерное проектирование в электронике (2024)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kurapcova_Zaryadovye_svojstva.pdf323.51 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.