https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58808| Title: | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN |
| Other Titles: | Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor |
| Authors: | Ворсин, Н. Н. Гладыщук, А. А. Кушнер, Т. Л. Тарасюк, Н. П. Чугунов, С. В. |
| Keywords: | материалы конференций;гетеропереходные транзисторы;нитрид галлия;нитрид алюминия;диффузионно-дрейфовые модели;градиент электронной плотности;поляризация;вольтамперная характеристика |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN = Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 50–53. |
| Abstract: | Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ микросхем. Замена кремния на GaN позволяет повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Компьютерное моделирование физических процессов является необходимым элементом освоения новых электронных устройств. В настоящей работе представлены результаты моделирования мощного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения AlGaN. |
| Alternative abstract: | AlGaN ternary alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction fieldeffect transistor (FET) based on AlxGax-1N was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its CVC and other parameters. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58808 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Vorsin_Modelirovanie.pdf | 238.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.