https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58932| Title: | Моделирование неоднородности паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти |
| Authors: | Жевняк, О. Г. Борздов, А. В. Борздов, В. М. Абрамов, И. И. |
| Keywords: | публикации ученых;численное моделирование;метод Монте-Карло;МОП-транзисторы;флеш-память |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | СевГУ |
| Citation: | Моделирование неоднородности паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти / О. Г. Жевняк, А. В. Борздов, В. М. Борздов, И. И. Абрамов // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2024) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo'2024) : сборник научных трудов 34-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 8–14 сентября 2024 г. / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2024. – Вып. 6. – С. 116–117. |
| Abstract: | В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовыми элементами современных микросхем флеш-памяти, рассчитаны зависимости от координаты вдоль проводящего канала абсолютных и относительных величин паразитного туннельного тока. Показано, что наибольшее влияние на поведение полученных зависимостей оказывают распределения вдоль канала средней энергии электронов и разности уровней дна зон проводимости в кремнии и на плавающем затворе транзистора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58932 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Modelirovanie.pdf | 712.28 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.