Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8283
Title: Формирование тонких пленок оксида цинка комбинированным методом гидротермального и послойного атомного осаждения
Other Titles: Formation of zinc oxide thin films by combined method of hydrothermal and layered atom deposition
Authors: Чубенко, Е. Б.
Бондаренко, В. П.
Пилипенко, В. А.
Топалли, К.
Окяй, А. К.
Keywords: доклады БГУИР;оксид цинка;гидротермальное осаждение;послойное атомное осаждение;фотолюминесценция;рентгеновская дифрактометрия;zinc oxide;hydrothermal deposition;atomic layer deposition;photoluminescence;X-ray diffraction
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Чубенко, Е. Б. Формирование тонких пленок оксида цинка комбинированным методом гидротермального и послойного атомного осаждения / Е. Б. Чубенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 4 (98). - С. 28 - 34.
Abstract: Исследованы свойства и показана возможность получения тонких сплошных пленок оксида цинка химическим гидротермальным методом на поверхности подложек монокристаллического кремния с затравочным слоем оксида цинка, сформированным методом послойного атомного осаждения. Полученные гибридные структуры из оксида цинка состоят из вертикально ориентированных кристаллитов оксида цинка, образующих компактную сплошную пленку. Проведены измерения оптических и электрических свойств полученных пленок. Показано, что пленки оксида цинка демонстрируют фотолюминесценцию в видимом диапазоне электромагнитного спектра с максимумом на длине волны 600–700 нм, связанную с наличием структурных дефектов, и в ближнем УФ- диапазоне с максимумом около 380 нм, связанную с излучательной межзонной рекомбинацией. Удельное сопротивление полученных пленок составляет 0,7 Ом·см.
Alternative abstract: Properties and deposition of continuous thin zinc oxide films by chemical on the monocrystalline silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained hybrid zinc oxide structures consist of vertically oriented crystallites packed in uniform continuous film. Optical and electrical properties of the films are measured. It is shown, that deposited zinc oxide films demonstrate photoluminescence in the visible range of electromagnetic spectra with maximum at 600–700 nm. Luminescence band in the near UV region at 380 nm, associated with band-to-band radiative recombination, is also measured. The resistivity of the obtained zinc oxide films is about 0.7 Ohm·cm.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8283
Appears in Collections:№4 (98)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Chubenko_Formirovaniye.PDF906.28 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.