Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30862
Title: Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами
Other Titles: Polycrystalline silicon films with hemispherical grains
Authors: Турцевич, А. С.
Ануфриев, Л. П.
Наливайко, О. Ю.
Лесникова, В. П.
Keywords: доклады БГУИР;интеллектуальные права;программное обеспечение;водяной знак
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2005.- № 1 (9). - С. 87 - 92.
Abstract: Проведено исследование влияния условий получения пленок кремния на его структуру и мор- фологию. Установлено, что в узких диапазонах температуры осаждения и парциального дав- ления моносилана наблюдается осаждение аморфно-кристаллических пленок с кристаллитами полусферической формы. Предложен механизм, объясняющий полученные результаты. Пока- зано, что использование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами в качестве нижней обкладки конденсатора позволяет увеличить эффективную площадь кон- денсатора хранения ДОЗУ в 1,5–2,0 раза. Причем применение таких пленок возможно в стеко- вых, этажерочных конденсаторах и конденсаторах в виде простой и сложной короны.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30862
Appears in Collections:№1 (9)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Turtsevich_Polycrystalline.pdf891.21 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.