https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30901| Title: | Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей |
| Other Titles: | Temperature characteristics of silicon photoelectronic multipliers |
| Authors: | Асаенок, М. А. Горбадей, О. Ю. Зеневич, А. О. |
| Keywords: | доклады БГУИР;кремниевые фотоэлектронные умножители;коэффициент усиления фототока;микроплазменный пробой;silicon photoelectric multipliers;photocurrent gain;microplasma breakdown |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Асаёнок, М. А. Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей / М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич // Доклады БГУИР. - 2018. - № 2 (112). - С. 54 - 58. |
| Abstract: | Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя. |
| Alternative abstract: | The investigations results of the temperature dependences of the multiplication coefficients of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what extent the decrease in temperature effects to the change in the photocurrent gain and leads to a decrease of the series resistance of the microplasma breakdown. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30901 |
| Appears in Collections: | №2 (112) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Asayenok_Temperaturnyye.PDF | 422.13 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.