Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36595
Title: Процедура проведения испытаний процессов деградации параметров р-МОП-транзисторов
Authors: Бондарев, А. А.
Шешко, П. П.
Keywords: материалы конференций;р-МОП-транзисторы;изготовление микросхем
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Бондарев, А. А. Процедура проведения испытаний процессов деградации параметров р-МОП-транзисторов / Бондарев А. А., Шешко П. П. // Электронные системы и технологии: 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г.: сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 60.
Abstract: В настоящее время отсутствует экспрессный и эффективный метод, позволяющий выявлять потенциально ненадежные изделия в процессе изготовления микросхем, и работы по созданию такого метода является весьма актуальными. Предложенная процедура тестирования направлена на выбор прибора при воздействии горячих носителей в выбранном режиме испытаний.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36595
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bondarev_Protsedura.pdf489.91 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.