Issue Date | Title | Author(s) |
2007 | Бессвинцовая припойная композиция для сборки полупроводниковых приборов | Ланин, В. Л.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С. |
2016 | Влияние температуры отжига на сегнетоэлектрические свойства легированного ниобием танталата стронция-висмута | Голосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.; Окоджи, Д. Э. |
2012 | Диоды Шоттки и особенности технологии сборки | Турцевич, А. С.; Ланин, В. Л.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, А. Я.; Керенцев, А. Ф. |
2014 | Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом | Сохраби Анараки, Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С. |
2013 | Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники | Сохраби Анараки, Х.; Гапоненко, Н. В.; Завадский, С. М.; Руденко, М. В.; Голосов, Д. А.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.; Колосницын, Б. С. |
2014 | Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов Шоттки | Солодуха, В. А.; Баранов, В. В.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Сарычев, О. Э.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С.; Фоменко, Н. К. |
2007 | Классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев | Турцевич, А. С. |
2007 | Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3. | Емельянов, В. А.; Ануфриев, Л. П.; Достанко, А. П.; Бордусов, С. В.; Гурский, Л. И.; Ланин, В. Л.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Портнов, Л. Я.; Коробко, А. О.; Король, И. П.; Борисик, А. В.; Осипов, А. А. |
2016 | Особенности корпусирования герметичных интегральных схем | Ланин, В. Л.; Турцевич, А. С.; Керенцев, А. Ф. |
2004 | Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем | Коробко, Ю. О.; Достанко, А. П.; Турцевич, А. С. |
2006 | Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники | Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Ануфриев, Д. Л.; Мильчанин, О. В. |
2005 | Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами | Турцевич, А. С.; Ануфриев, Л. П.; Наливайко, О. Ю.; Лесникова, В. П. |
2014 | Повышение надежности транзисторов в металлокерамических микрокорпусах | Турцевич, А. С.; Волкенштейн, С. С.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А. |
2013 | Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Турцевич, А. С.; Шелибак, И. |
2008 | Сборка силовых полупроводниковых приборов с бессвинцовой припойной композицией | Ланин, В. Л.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С. |
2016 | Сегнетоэлектрические свойства пленок легированного ниобием танталата стронция-висмута | Голосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С. |
2011 | Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности | Гапоненко, Н. В.; Ореховская, Т. И.; Меледина, М. В.; Прислопский, С. Я.; Гапоненко, С. В.; Циркунов, Д. А.; Борисенко, В. Е.; Турцевич, А. С. |
2011 | Улучшение паяемости внешних выводов интегральных микросхем в корпусе DIP | Турцевич, А. С.; Ланин, В. Л.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. |
2017 | Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией | Лагунович, Н. Л.; Борздов, В. М.; Турцевич, А. С. |